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2003 Mar 25 5
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed double diode PMBD6100
Fig.5 Reverse current as a function of junction
temperature.
2handbook, halfpage10
10
200
0
MBG379
100
Tj
(
oC)
IR
(μA)
1
10
2
10
1
(1) (2)
(3)
(1) VR
= 50 V; maximum values.
(2) VR
= 50 V; typical values.
(3) VR
= 30 V; typical values.
Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj
= 25
°C.
handbook, halfpage0.8
0
08164
12
VR
(V)
0.6
0.4
0.2
MBG446
Cd
(pF)
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